办公室只剩罗离一人。
他眉头紧锁，目光凝重的盯着显示屏，不断有业内最新科技资讯从其上划过。
罗离找遍了所有关于芯片的科学期刊，也没有发现任何机会。
首先，国内其实并不缺制造通用芯片的能力，
缺的只是制造高精度、低制程的尖端芯片的工艺和设备！
在芯片设计和制造中，纳米表示的是芯片中晶体管与晶体管之间的距离，在体积大小相同的情况下，7nm工艺的芯片，容纳的晶体管数量几乎是14nm的2倍多！
晶体管的数量直接决定了处理器性能的强弱，晶体管越多，处理器解析的能力也就越强。
国内目前完全自主研造的芯片，最多也只能达到90nm级别，单位容纳晶体管数量为2亿多，远远低于平均水平。
核桃mini采用的是高通660芯片，在制程上为14nm，单位晶体管数量便已经达到37亿多！
华火前一代性能旗舰——青龙970采用的是10nm工艺，单位晶体管数量为55亿……而青龙980更是采用7nm工艺，晶体管数更是达到了恐怖的70亿！
在运算能力上，青龙970只支持29.9GB传速，青龙980最高可以支持到34.1GB，这还只是细枝末节，相比之下，两者在综合性能跑分上的差距还要更加显著。
精度越高的芯片，体积就会更小，相应的功耗和发热也会更小。
低精度的芯片可以满足重工业生产需要，但绝对无法满足手机工艺！
手机不同于汽车，内部的空间就那么点，散热首当其冲就是第一大难题，制程越小，所占空间也就越小，散热就会更加优秀。
高精度芯片相比于低精度芯片，性能上的优势不仅来自于工艺制程，还来源于很多方面，比如芯片架构、芯片缓存、芯片带宽、GPU性能和基带等等。
其真实差距，堪称云泥之别。
如果钉子科技找不到解决的方法，将被迫只能采用国产90nm级芯片，这对钉子来说绝对是一个巨大的打击。
要知道高通835和青龙980一样都是10nm芯片，在在晶体管数量上是国产90nm芯片的三十倍！性能更是差距百倍千倍！
最重要的是，黑科技手机系统对处理器芯片制程有严格的要求，一代系统只能兼容14nm以下，二代系统只能兼容10nm以下。
换成90nm，就意味着瓜子手机将彻底舍弃黑科技手机系统，同时被舍弃的还有40％性能的提升、30％功耗的降低、云服务功能、语音助手、各种超级算法和超级优化……
这特么堪称灭顶之灾啊！
没有黑科技手机系统加持，瓜子手机连八十线厂商都不如。
尼玛，资本亡我之心不死！
“……有没有什么其他办法？”
问出这个问题，罗离也知道不会有答案。
根本不可能。
当资本企业联盟决定实行芯片垄断的那一刻起，就已经堵死了所有生路，除非你能自己搞出来。
罗离第一反应就是查阅系统。
打开兑换列表，在一长串密密麻麻的兑换商品种，罗离找到了芯片制造相关的科技。
排除“虚空系列”、“反物质”、“负相粒子光能”这种一听就买不起的东西，罗离直接将列表拉到最下来。
然后，他就看到了自己收藏夹中躺了两个多月的3nmEUV光刻机——
以及后面长达10厘米的“0”……
罗离：“……”
3nmEUV光刻机，太特么贵了！
贵到价格只能用“厘米”来形容。
就尼玛离谱！
罗离果断放弃了，这东西绝对不是现阶段可以买得起的！
然后他将目光锁定到5nm级别……这次是8厘米。
淦，放弃放弃！
然后是7nm……
14nm……
……
全部看完，罗离彻底无奈了。
以他目前的系统积分，居然只能买得起130nm级别的光刻机！还特么是DUV光源！！
DUV光刻机和EUV光刻机能比？
寒碜谁呢？
DUV光刻机大多采用的是波长为193nm级别的氟化氩准分子激光，或者波长为248nm的氟化氪准分子激光，单次曝光的极限制程在128nm到90nm之间，多次曝光虽然可以将精度提升至最高28nm，但却是以牺牲良品率为代价！
几乎每重复一次曝光，损坏的几率就增加一倍……靠DUV光刻机想要造出28nm制程芯片，至少需要曝光5次以上！
先不说你连续曝光五次最终能成功几个，就算成功了，28nm也远远解决不了钉子现在的危机。
更别提暴增的材料成本了。
光刻工艺的核心资源是一种叫做光刻胶的化学合成剂，这东西在国内也无法制造。
在层层垄断下，光刻胶的进口量就那么多，其他厂商会允许你这么浪费？
在目前，DUV光刻机受限于精度制程，已经无法满足后来14nm、7nm、5nm等更高制程的需求了，这时候就需要依靠EUV光刻机。
EUV光刻机采用的是一种13.5nm的极紫外光，可以在大约200平方毫米的面积下集成超过105亿颗晶体管。
用EUV光刻机制造7nm级芯片，只需要曝光一次。
在现阶段，
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